以液相轉變為晶體為例，晶體從滋生和成長需要經歷三個階段：（1）液體或熔體達到過飽和狀態；（2）晶核從過飽和的溶液或熔體中晶出，是為成核作用；（3）以晶核為中心，在其表面持續成長，使晶體逐漸長大。
　　有關晶體成長有諸多理論，本文僅以「層生長」和「螺旋生長」兩種理論，略做說明。
1. 層生長理論
　　是指晶體的生長由質點面網一層接一層地不斷向外平行移動的結果（圖一），所以晶體常成為面平、稜角的多面體型態，而且因晶面向外平行推移生長，使得晶體中不同晶面間的夾角不變。
2. 螺旋生長理論
　　是指晶體生長界面上因位錯而出現的凹角，可做為晶體生長的台階，晶體於是圍繞位錯處以旋轉方式生長（圖二）。此一理論可以解釋晶體在很低的過飽和度下亦能生長的實際現象。

* 圖說：層生長示意圖。
* 作者：洪誌楀繪圖
* 智財權：國立自然科學博物館

* 圖說：螺旋生長示意圖。
* 作者：洪誌楀繪圖
* 智財權：國立自然科學博物館